型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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描述:
NXP PSMN020-100YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 3 V
5935
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描述:
NXP PSMN027-100PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 100 V, 21 mohm, 10 V, 3 V
2797
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描述:
MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK
4146
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描述:
NXP PMR290UNE 晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV
9331
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描述:
NXP PMR670UPE 晶体管, MOSFET, P沟道, -480 mA, -20 V, 0.67 ohm, -4.5 V, -800 mV
7324
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描述:
NXP PQMH13 晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SOT-1216 新
1871
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描述:
MMBT3904/TO-236AB/REEL 11" Q3/
2105
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描述:
NPN开关晶体管 NPN switching transistor
2608
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描述:
RF Power Transistor,1200 to 1400MHz, 1000W, Typ Gain in dB is 15.5 @ 1200MHz, 52V, LDMOS, SOT1829
2721
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描述:
NXP NX3008CBKV 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 400 mA, 30 V, 1 ohm, 4.5 V, 900 mV
4011
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描述:
NXP NX3020NAKS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 180 mA, 30 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 V
4829
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描述:
NXP NX3020NAKV 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 30 V, 2.7 ohm, 10 V, 1.2 V
7838
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描述:
NXP NX7002AKW 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 1.6 V
9282
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描述:
140W Avg. over 470-870MHz, 50V RF Power LDMOS Transistor
5512
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描述:
NPN / PNP电阻配备晶体管R1 = 22千瓦， R2 = 47千瓦 NPN/PNP resistor-equipped transistors R1 = 22 kW, R2 = 47 kW
6265
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描述:
NXP NX3008PBKS 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -200 mA, -30 V, 2.8 ohm, -4.5 V, -900 mV
8573
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描述:
NXP NX3008NBKW 晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 30 V, 1 ohm, 4.5 V, 900 mV
6987
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描述:
NX138BKS/SC-88/REEL 7" Q1/T1 *
1562
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描述:
NXP PBHV8115X 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 1.5 W, 1 A, 10 hFE
1680
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描述:
NXP PBSS4112PAN 单晶体管 双极, 双NPN, 120 V, 120 MHz, 2 W, 1 A, 30 hFE
1308
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描述:
SO NPN+PNP 50V/20V 100mA/3A
5396
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描述:
NXP PBSS4021SP 双极晶体管阵列, PNP, -20 V, 2.3 W, -6.3 A, 250 hFE, SOIC
4635
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描述:
40 V ， 500毫安NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor
5388
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描述:
Bipolar Transistors - BJT TRANS BISS TAPE-7
9091
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